Especialistas da Universidade Estadual de Nizhny Novgorod. N.I. Lobachevsky (UNN) foram capazes de desenvolver uma teoria da transformação de ondas de luz em grafeno, o que contribuirá para a criação da microeletrônica da nova geração.
As realizações científicas de especialistas da UNN foram relatadas pelo serviço de imprensa do Ministério da Ciência e Ensino Superior da Federação Russa, que deu o apoio para que sua pesquisa fosse realizada. Com a ajuda da nova teoria, será possível aumentar significativamente a velocidade dos circuitos integrados de fótons (FIS), frequentemente usados em eletrônica. Comparado com os circuitos integrados tradicionais, o FIS tem várias vantagens, a principal delas é a velocidade. Por muitos anos, os cientistas têm procurado material que possa aumentar ainda mais a velocidade do FIS, mas toda a pesquisa chegou a um impasse. Cientistas russos acreditam que os colegas estrangeiros usaram a abordagem errada.
Em particular, o trabalho sobre tecnologia similar foi realizado por especialistas americanos junto com cientistas da Bélgica. Os cientistas da UNN acreditam que os cientistas ocidentais confiaram na suposição incorreta sobre o comportamento do campo magnético de uma onda de luz com um salto na concentração de elétrons no grafeno. Na pesquisa deles eles ergueram a teoria do efeito de realçar a luz. Especialistas russos provaram experimentalmente que esse efeito não existe.
O trabalho sobre a nova teoria está sendo conduzido em um ritmo intenso, tão cedo podemos esperar um progresso significativo na criação de uma nova geração de DRF. O foco principal dos cientistas será no estudo das microondas, representando canais para a propagação de ondas de luz, com base no grafeno.
politexpert
domingo, 27 de janeiro de 2019
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Acelerar os circuitos integrados: um passo em direção à microeletrônica de uma nova geração foi feito.
Acelerar os circuitos integrados: um passo em direção à microeletrônica de uma nova geração foi feito.
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